「SPIE Advanced Lithography 2010」が2010年2月21～25日に米国サンノゼで開かれた。例年2000人程度の参加者を集めていた会議だが，2009年は急激な景気後退の影響を受けて参加者数がほぼ半減した。2010年は30％ほど持ち直したと聞くが，それでも往時には達していない。例年は月曜日から金曜日の5日間だったが，2010年は木曜日までの4日間となり，キーノート講演や展示会も小さい会場に移った。キーノート講演で見る限り，700～800人程度と，2009年とほぼ同程度の人数だった。その中で，発表の過半数を占めるEUVリソグラフィについて2回に分けて報告する。第1回は今回は，全体の傾向，露光装置，光源について報告する。
セッションが独立したEUVリソ盛況，論文数は50％増
EUVリソグラフィは，以前は「Emerging Lithography」，2009年は「Alternative Lithography」の中の一つの技術だった。しかし，EUVリソグラフィの発表が過半数を占める状況を受けて，2010年から「EUV Lithography」として単独のセッションになった。その結果，光とEUV以外のリソグラフィ技術が「Alternative Lithographic Technologies」として分類されている。
EUVリソグラフィの発表件数は着実に増加しており，今回は2009年比で約50％増加した。口頭発表で62件，ポスター発表で66件があり，その他にレジストのセッションの中にもEUVレジストの発表が組まれている。月曜日から木曜日の4日間とも発表があり，全部で6件あった招待講演（2009年までのキーノート講演に相当）では300人収容の会場に立ち見が100人近く出る盛況だった。
EUV露光装置開発はASMLとニコンで大きな差
EUV露光装置開発におけるオランダASML HOlding NVとニコンの取り組み姿勢に大きな差が生じている。またキヤノンのEUV露光装置開発に関する発表はなかった。
ASMLのC.Wagner氏は，2010年から出荷予定の初期量産用露光装置「NXE：3100」（開口数（NA）＝0.25）を6台受注していることを明らかにし，その開発状況を発表した。光源は米Cymer, Inc.のLPP（laser produced plasma）を使用する。スループットについては，現在は15枚/時相当（20W）だが，今後改善して目標の60枚/時（100W）を達成するとした。光学系の研磨技術も着実に向上しており，フレアを4％に低減できたという。多くの写真を使い，精力的に生産を進めていることを示した。また，22nmの本格的量産機「NXE：3300B」（NA＝0.32，2012年出荷予定）についても，その研究開発が順調に進んでいることを報告した。同じ投影光学系を使いながら照明系を改良した「NXE：3300C」で16nmに対応していくという。
一方ニコンのMiura氏は，ArF液浸リソグラフィを使ったダブル・パターニング技術（DPT）を検討した結果，22nm世代に適用可能と判断し，量産向けEUV露光装置の開発は16nm世代にシフトすると発表した。2009年の本会議ではNA＝0.25の初期量産装置（ASMLのNXE：3100相当）をスキップし，直接NA＞0.3の量産装置に進む可能性を発表したが（Tech-On!関連記事），今回はさらに先送りして16nm世代でのEUV露光装置投入を目指すという。光学系は，NA＝0.3で設計できているが，この光学系では複数世代（16～11nm）への対応を目指すためには不十分であり，NA＞0.4の光学系を開発すると述べた。そのため，投影光学系のミラー枚数は現在の6枚から8枚となる可能性が高いとした。
