裏面照射型イメージ・センサのファウンドリを確立，TowerとSoitecが提携
仏Soitec SAとイスラエルTower Semiconductor Ltd.，Towerの子会社の米Jazz Technologies, Inc.は，裏面照射（backside illumination）型CMOSイメージ・センサのファウンドリ・サービスの実現に向けて提携した（Soitecの発表資料）。SoitecのSOIウエーハや関連プロセス技術を使って，TowerやJazzのCMOSラインに最適化させたカスタム・プロセスを開発する。Towerグループが裏面照射型CMOSイメージ・センサのファウンドリ・サービスのターゲットとしているのは，主に産業や医療，自動車向けといった高価な分野であるとする。
両社の発表によると，裏面照射型CMOSイメージ・センサのファウンドリ・サービスを立ち上げる企業は，Towerグループが業界で初めてである。これによって，ファブレス半導体メーカーによる参入障壁を下げ，裏面照射型CMOSイメージ・センサの応用範囲を，現在の民生用カメラや携帯電話機から，映画撮影，航空宇宙，高機能医療などの用途への拡大を促進するという。
両社は，SoitecのSOIウエーハや関連プロセス技術をベースに，裏面照射型CMOSイメージ・センサの製造プロセスを開発する。これによって，Towerグループの顧客企業は，裏面照射型CMOSイメージ・センサを迅速に実用化できるとする。量産時には，SoitecのSOIウエーハを使い，関連技術のライセンス供与を受けることになると見られる。
両社が売りとするのは，Soitecが開発済みの3次元積層技術を活用できることである。SOIウエーハは，Siウエーハに比べて価格が数倍と高いが，裏面照射型CMOSイメージ・センサでは，基板の薄化プロセスで有利なほか，高画質を実現しやすいために採用が進んでいる。
Soitecは，仏CEA-LETI（フランス原子力庁 電子・情報技術研究所）との間で，CEA-LETIの200mm，300mmウエーハ対応ラインを使って開発したプロセスを，デバイス・メーカーの量産ラインにプロセスを移植するサービスも行っている（Tech-On !関連記事1）。開発済みのSi貫通ビア形成技術，3次元積層技術を活用するもので，採用例に伊仏STMicroelectronics社の裏面照射型CMOSイメージ・センサ（Tech-On !関連記事2）があるとする。
