【ISSCC】45nm世代の1Gビット相変化メモリをNumonyx社が開発，チップ面積は37.5mm²

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　スイスNumonyx社は，45nm世代の1Gビット相変化メモリ（phase change memory：PCM）を，半導体回路技術の国際会議「ISSCC 2010」で発表した（講演番号14.8）。

　チップ面積は37.5mm²と小さい。供給電圧は1.7V，2.0Vである。イニシャル・アクセス時間は85nsで，読み出し時の最大データ転送速度は266Mバイト/秒である。書き込み時の最大データ転送速度は9Mバイト/秒。待機時の消費電流は40μA。動作温度範囲は−40℃〜＋85℃である。チップ仕様は「NORフラッシュ・メモリのレガシー・スペックに基づきつつ，ビット単位の書き換えを可能にした」（Numonyx社）という。

　記憶素子の材料はGe₂Sb₂Te₅で，セルの選択トランジスタには縦型のpnpバイポーラ・トランジスタを用いた。回路上の工夫としては，トランジスタの寄生電流が読み出しを阻害する現象を緩和するために，メモリ・セルを4個単位で区切るようにした。

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