【ISSCC】微細化すると精度が高まる温度センサ，オランダTU DelftとNational Semiconductor社が開発
オランダDelft University of Technology（TU Delft）教授のKofi Makinwa氏らの研究グループは，2010年2月8日から開催されている半導体関連の国際会議「ISSCC」において，トリミングなしで±0.2℃の精度を確保できる温度センサを開発した（講演番号17.4，温度範囲は-55℃〜125℃）。半導体型温度センサの大手メーカーである米National Semiconductor社と共同開発し，0.18μmのCMOS技術で製造した。
TU Delftは温度センサの研究を数多く手掛けており，温度センサとして一般的なバンドギャップ型も手掛けているが，今回の温度センサはSi基板中の熱拡散率（thermal-diffusivity）を利用するタイプである。TU Delftは2008年のISSCCにおいて同原理の温度センサを発表したが，当時は精度が±0.5℃だった（日経エレクトロニクス関連記事）。今回は微細化や回路の工夫により精度を高めた。
一般に半導体型の温度センサは，トランジスタのベース・エミッタ間電圧が温度に依存することを利用するが，今回のセンサは計測原理が異なる。具体的には，ETF（electrothermal filter）というフィルターを用いる。ETFはヒーターと熱電対列から成り，ヒーターをパルス駆動した際，それが一定距離だけ離れた熱電対列でどのくらい遅れるか，すなわち位相差を計測する。CMOS技術のバルクSiの基板中では，この位相差は温度にほぼ線形に比例するため，温度センサとして動作する。
なお，今回の温度センサの基盤となっているETFは，TU Delftが前日のISSCCで発表したCMOS基準発振器でも使われている（Tech-On!関連記事，講演番号4.1）。
