三菱電機がSiCパワー半導体の試作ラインを構築，2011年初頭からの量産を目指す
2010/01/13 20:18
三菱電機は，SiCパワー半導体の試作ラインを同社パワーデバイス製作所（福岡市）内に構築した。4インチ（100mm）径のSiC基板で3000枚/月の処理能力を持つ。耐圧が600〜1700Vのサンプル品の出荷を2010年3月末までに社内向けに開始する。同社はこのラインで培った製造技術を事業部へ移管し，2011年1〜3月期の量産化を目指す考えだ。
三菱電機におけるSiCパワー半導体の開発は「これまでの研究所レベルの試作開発から，量産に向けた実用化開発へ移った」（同社 広報部）。今回の試作ラインで製造するサンプル品は，同社の半導体・デバイス部門のほか，太陽電池向けパワー・コンディショナや自動車関連の部門などへ供給される見通しという。SiCパワー半導体のうち具体的にどのような品種を試作するのかについて，同社は明らかにしていない。サンプル品の他社への供給についても「現時点では何も決まっていない」（同）という。
今回のラインは同社が2009年3月に着工し，同年12月に竣工したもの。クリーン・ルームの床面積は1250m2。35億円を投じて製造設備の大半を導入済みである。今後，180人の人員を配置し，2011年度末までに開発費としてさらに100億円を投じる予定。
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