デンソーは,SiC製MOSFETとショットキー・バリア・ダイオード(SBD)を利用したパワー・モジュールを試作した。特徴は同社従来品に比べて,耐圧を高め,出力電流を大きくしたこと。耐圧は1200Vで,出力電流は「最大150A,定常で100A」(説明員)である。従来品は,「耐圧は1200Vを少し下回り,無理やり駆動して100Aを出力できる水準だった」(同)という(Tech-On!関連記事)。
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