パナソニックとルネサスが先端半導体プロセスの共同開発機能を那珂に集約，28nm世代の開発を本格化

2009/09/30 16:00

木村雅秀＝日経エレクトロニクス

　パナソニックとルネサステクノロジは，システムLSIの先端プロセス技術の共同開発機能をルネサスの那珂事業所（茨城県ひたちなか市）に集約すると発表した（ニュース・リリース）。同事業所に新たに敷設した32/28nm世代の開発ラインを2009年10月1日より稼動させ，28nm世代のプロセス開発を本格化させる。

　両社はこれまで，ルネサス北伊丹事業所（兵庫県伊丹市）にて90nm世代，65nm世代，45nm世代，32nm世代と半導体プロセス技術の共同開発を続けてきた。2008年10月には共同開発の成果として，32nm世代のシステムLSIプロセスについて，high-k/メタル・ゲート構造のトランジスタ技術と，low-k材料を用いた配線技術を開発し，量産化のメドを立てた（関連記事）。さらに，2009年7月には28nm世代向けのhigh-k/メタル・ゲート構造のSRAMセルの開発を完了した。

　今回，ルネサス那珂事業所に新たに敷設した300mmウエハー開発ラインにおいて，28nm世代のプロセス技術を用いたフルインテグレーション技術の共同開発を行うため，同ラインの稼動を開始する。同開発ラインでは，ルネサス北伊丹事業所の開発ライン設備の一部を移管した上で，新たに追加の生産設備を導入している。実際に量産を行う300mmウエハーで開発を行うことで，量産への移行をスムーズに行い，開発費の削減と開発期間の短縮を図る。

　共同開発成果である32/28nm世代のシステムLSIプロセス技術は，両社の先端モバイル用途やデジタル家電用のシステムLSIに適用し，それぞれの生産拠点で量産する。