6月15～17日に開催された「2009 Symposium on VLSI Technology」のCMOSインテグレーションに関するセッション（Session11A）では，熱のこもった4件の発表があった。米SEMATECH Inc.がサブ32nm世代向けゲート・ファースト・プロセスでのメタル・ゲート/high-k（MG/Hk）技術について（講演番号11A-1），台湾Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd.（TSMC）が28nm世代低消費電力プラットフォームについて（同11A-2），東芝が22nm世代向けMG/Hkにおけるキャリヤ移動度と反転時の等価ゲート絶縁膜厚（Tinv）のトレードオフについて（同11A-4），米IBM Corp.が22nm世代以降のソース/ドレインせり上げ技術を用いた6nm厚SOI-MOS FET技術について（同11A-3），それぞれ発表した。
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