東芝は,2ビット/セルの多値化技術を導入した3次元構造のNAND型フラッシュ・メモリー“P-BiCS(Pipe-shaped Bit Cost Scalable)”を開発した【講演番号7-1】。60nmプロセスによるメモリー・セルを16段積層させた32Gビット・チップを試作し,アレイ動作を確認した。1ビット当たりの実効セル面積は0.00082μm
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