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HOMEエレクトロニクス電子デバイス > 【VLSI】東京大学ら,SSDのランダム書き込みを2倍に高速化,データ・センターなどに向ける

【VLSI】東京大学ら,SSDのランダム書き込みを2倍に高速化,データ・センターなどに向ける

  • 大石 基之=日経エレクトロニクス
  • 2009/06/16 09:21
  • 1/1ページ
東京大学と産業技術総合研究所は共同で,不揮発性のページ・バッファを備えた強誘電体NANDフラッシュ・メモリを開発した。

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