メモリ大手の韓国Hynix Semiconductor Inc.は2009年第1四半期（1月～3月）の業績を発表した。売上高は前年同期比18％減の1兆3130億ウォン。営業損益は5150億ウォンの赤字で，前期からは改善したが前年同期に比べると悪化した。純損失は1兆1780億ウォンだった。前期に比べて出荷量は落ちたが，DRAM製造における54nmプロセスへの移行が進んだため，赤字幅を縮小できたとHynix社は説明する。

　売上高の内訳はDRAMが76％，NANDフラッシュ・メモリが16％，MCP（multi chip package）などが8％となった。DRAMの出荷量は前期比で2％減少し，平均販売単価も7％低下した。NANDフラッシュ・メモリの出荷量は前期比で4％減少。ただし，平均販売単価は前期比で10％上昇している。