前回の記事:【写真で見るDIGIC 4】その1,まずはカメラ本体をばらす
いよいよ「DIGIC 4」を見てみる。実際の調査は,ヴァン・パートナーズが前回の記事に記した同型機から取得したDIGIC 4に対して実施した。
DIGIC 4は,PoPと呼ばれる構成を採っており,二つの半導体パッケージを重ねている。X線を用いて半導体パッケージの内部をうかがってみると,上のパッケージがチップを2枚内蔵していることが分かった。
そこで上のパッケージを薬液で除去し,チップを露出させた。
出てきたのは韓国Samsung Electronics Co., Ltd.製の2種類のメモリである。上側のチップはNORフラッシュ・メモリ「K8P6415UQB」で,容量は64Mビット。寸法は6040μm×3910μm×80μm。下側はSDRAM「K4X51323PE」で,512Mビット。寸法は8220μm×7545μ×110μmだった。
今度はPoPの下部パッケージの除去に取りかかる。DIGIC 4の本体というべき,こちらのチップ寸法は7980μm×6370μm×105μmだった。
現れてきた配線層をはがし,
回路ブロックを観察した。ロジック部のゲート数は概算で1800万ゲートあった。
メモリ容量は概算で合計2.96Mビットだった。
SEM(走査型電子顕微鏡)で配線層の総数やゲート長も見た。配線の材料は最上位の7層がAlで,1~6層がCuである。
ゲート長の計測結果から,カメラ業界でのうわさ通り,DIGIC 4は65nmルールを採用していることが確認できた。
次回はDIGIC 4の物理的な仕様をまとめると共に,それを前世代のDIGIC 3と比較する。
【写真で見るDIGIC 4】その3,DIGIC 3と見比べてみる