米University of Southern Californiaは，カーボン・ナノチューブ（CNT）を用いて，キャリア移動度が最大1300cm2/Vsの透明TFTを開発した（発表資料）。CNT構造の密度を高めることで，キャリア移動度の向上を実現した。最大透過率は平均80％である。オン時とオフ時のソース・ドレイン間電流の比は3×104。120℃以下のプロセスで作製できるため，ガラスやPET基板上へのTFT形成が可能という。
開発したのは，同大学Department of Electrical Engineering Professor のChongwu Zhou氏の研究グループ。作製法としてはまず，CNTを石英基板上で成長させてから，あらかじめITOゲート電極を形成したガラスまたはPET基板上に移す。その後，透明のソース電極やドレイン電極を形成するという。CNTの壁は炭素原子1個程度の厚みがある。
Chongwu Zhou氏らによると，開発した透明TFTを用いて市販のGaN LEDを駆動したところ，従来の1000倍の光度が得られたとする。
CNTを用いた透明TFTの作製方法
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