「2008 IEDM」では，CMOS性能向上技術であるIII-V族半導体チャネルMOS FETに関する発表が相次ぎ，高い注目を集めた。CMOS応用を念頭においたIII-V族チャネルFETの論文数は，実験結果に関するものが10件，モデリングや理論計算に関するものが4件となり，前回に比べて大幅に増加した。さらに今回は，「III-V MOSFETs with High K Dielectrics」と題するセッション（Session15）が新たに設けられ，高誘電率（high-k）ゲート絶縁膜/メタル・ゲートを使うIII-V族MOS FETに関する6件の論文が集中的に発表されるなど，この分野が大きく“ブレーク”しつつあることを印象づけた。
この記事は会員登録で続きをご覧いただけます
-
会員の方はこちら
ログイン -
登録するとマイページが使えます
今すぐ会員登録（無料）
日経クロステック登録会員になると…
・新着が分かるメールマガジンが届く
・キーワード登録、連載フォローが便利
さらに、有料会員に申し込むとすべての記事が読み放題に！
春割キャンペーン実施中！
＞＞詳しくは
日経クロステックからのお薦め
日経BP 総合研究所がお話を承ります。ESG／SDGs対応から調査、情報開示まで、お気軽にお問い合わせください。
ブランド強化、認知度向上、エンゲージメント強化、社内啓蒙、新規事業創出…。各種の戦略・施策立案をご支援します。詳細は下のリンクから。
「デジタル＆ソリューション」をキーワードに、多様な事業を展開しています。
日経BPは、デジタル部門や編集職、営業職・販売職でキャリア採用を実施しています。デジタル部門では、データ活用、Webシステムの開発・運用、決済システムのエンジニアを募集中。詳細は下のリンクからご覧下さい。
