【セミコン・プレビュー】VerigyがDRAM/フラッシュ・メモリーLSIテスターの新製品，同時測定数を4倍に
Verigy Ltd.は，DRAMとフラッシュ・メモリーの双方に対応可能なメモリーLSIテスター「V6000シリーズ」を発表した（ニュース・リリース）。既存の「V5000シリーズ」（Tech-On!関連記事）の上位・後継機種になる。V5000に比べて，V6000は同時に測定できるチップの数が4倍に増えた。
同時測定数が増えたのは，同時測定数を増やす仕組み（回路）をV5000の「Programmable Interface Matrix」から，V6000では「Active Matrix」に替えたためである。前者がリレーを使ったパッシブな分岐機構だったのに対して，後者はアクティブな分岐機構（分岐した先にも，ドライバとコンパレータを設ける）になっている。アクティブ化したことで，信号精度が高まり，測定に使えるピン数が増えた。
Active Matrixで分岐した先のピン数は１万8000本以上になる。Verigyによれば，一般的なメモリーLSIテスターに比べて，半分のピン当たりコストで4倍の個数の同時測定が可能だという。
また，V6000はV5000に比べて，テスト周波数も向上した。V5000は最大で100MHzだったが，V6000は280MHz（DDRモードでは560Mビット/秒）になった。なお，制限が付くが，880Mビット/秒のテストを実行するモードもあるという。
V6000はV5000同様に，開発用（V6000e），ウエーハ・テスト用（V6000 WS），パッケージング後のファイナル・テスト用（V6000 FT）の3品種からなる。また，V5000同様に水冷式となっている。なおV5000用のテスト・プログラムは「若干の」変更で，V6000にも使える，という。
日本法人のヴェリジーは，2008年12月3日〜5日に幕張メッセで開催の「SEMICON Japan 2008」に，このV6000を展示する予定である。
