東北大学電気通信研究所と日立製作所は,スピントロニクス技術とSi技術を利用することで,演算機能と不揮発性メモリ機能を一体化した集積回路の試作に成功した。MOSトランジスタを作り込んだSiチップの上に,スピントロニクス技術を利用したデバイスの一つである磁気トンネル接合(MJT)素子を積層することで実現した。これにより,Siチップに作成した演算領域と,メモリ領域間のデータ転送の高速化に加え,集積回路の小型化を実現する。またMJT素子を使えば不揮発性メモリを実現できるため,記憶データを保持するための常時通電を不要とし,CPU待機時の消費電力をゼロにできるとした。集積回路の製作にあたり,日立製作所がSiチップ上へのMOSトランジスタの作成,デバイス部を,東北大学電気通信研究所がMJT素子の積層をそれぞれ担当した。
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