富士通研究所と富士通マイクロエレクトロニクスは共同で,32nm世代向けCMOSを低コストで製造する手法を開発した。フルシリサイド(FUSI)によるメタル・ゲートをpMOSのみに導入する。追加工程によるコストの増分は1%以下という。CMOSの消費電力は,45nm世代に比べて高速版で20%,低電力版で40%低減できる。開発グループは今回の成果について,2008年6月17~20日に米国ハワイで開催される「2008 Symposium on VLSI Technology」で発表する(講演番号15.2,15.3,19.2)。
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