携帯電話機向け撮像素子で世界シェア3位の米OmniVision Technologies Inc.が，CMOSセンサの新製品で，その構造をガラリと変えた。いわゆる裏面照射（背面照射，BSI:backside illumination）技術を採用したのだ。
裏面照射とは，光電変換前に光の損失を大きく抑える技術である。通常のCMOSセンサでは，光電変換を担うフォトダイオードの周りを配線層が取り囲んでおり，しかも配線層は3つほどもある。
この結果，フォトダイオードはCMOSセンサ中の奥底に置かれてしまい，光がフォトダイオードになかなか直接入射しない。少しでも光を多く入射させるには，撮像素子に対して光を垂直に当てることが有効だが，そうするとレンズ・ユニットが長くなってしまう。
「それなら配線層がない裏側から光を当てればいい」。こう考えて生み出されたのが裏面照射技術である。この技術を用いた撮像素子は学会で珍しくない。例えばソニーや近畿大学 教授の江藤剛治氏が発表している。それだけに撮像素子技術者の間では「限られた画素ピッチの中で本当に感度を高めたいなら，いつかは裏面照射」という認識があった。
アンダー1μm品の量産へ
今回のOmniVision社の発表は，世界で初めて裏面照射品を大規模に量産することが新しい。同社は2008年4月2日に開催されたセミナー「イメージ・センサ 2008」で裏面照射技術を採用することを示唆していたが，今回は発売時期や大まかな構造などを明らかにした（ニュース・リリース）。
最初に量産する裏面照射品の画素ピッチは，1.4μmと極めて狭い。このため，画素数が800万と多いにもかかわらず，カメラ・モジュールの大きさに直結する光学サイズは，携帯電話機用品種として標準的なまま。具体的には1/3.2型ほどとみられる。CMOS技術の世代は110nm。サンプル出荷の開始は，2008年6月下旬である。詳細な測定条件や測定結果，比較対象は未公表ながらOmniVision社は「1.4μm裏面照射品における画素性能は，1.75μm品を超えた」という。
驚くべき狭ピッチ化計画も明かした。裏面照射品の画素ピッチを将来0.9μmとするという。1μmを切るCMOSセンサの市場投入を公表したのは，OmniVision社が初めて。他社は学会発表すら控えていた。顧客の要求する画質を満たすことが極めて難しかったためだ。OmniVision社が裏面照射品に現在，相当な自信を持っていることがうかがえる。
裏面照射品の製造は，台湾TSMC社が担う。OmniVision社は，撮像素子業界の中では少ないファブレス企業である。今回の発表は，ファブレスであっても他に類を見ない構造のCMOSセンサを先行して発売できることを実証したともいえる。
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