• BPnet
  • ビジネス
  • IT
  • テクノロジー
  • 医療
  • 建設・不動産
  • TRENDY
  • WOMAN
  • ショッピング
  • 転職
  • ナショジオ
  • 日経電子版

HOMEエレクトロニクス電子デバイス > 産総研ら,強誘電体を用いたNANDフラッシュ・メモリ・セルを開発,書き換え回数1億回以上

産総研ら,強誘電体を用いたNANDフラッシュ・メモリ・セルを開発,書き換え回数1億回以上

  • 小笠原 陽介=日経エレクトロニクス
  • 2008/05/21 13:38
  • 1/1ページ
 産業技術総合研究所(産総研)は東京大学と共同で,強誘電体ゲート電界効果トランジスタ(FeFET)を用いたNANDフラッシュ・メモリのメモリ・セルを作製した。1億回以上の書き換えが可能で,書き込み電圧は6V以下と低い。従来のNANDフラッシュ・メモリのメモリ・セルは,書き換え可能な回数が1万回,書き込み電圧が20Vだった。従来のNANDフラッシュ・メモリの微細化は30nm世代程度が限界といわれるのに対して,今回作製したメモリ・セルの技術は,将来の20nm世代や10nm世代のプロセス技術にも対応できるという。

おすすめ