Si貫通電極技術を半導体に適用する動きに伴い,関連するMEMS製造装置の300mmウェーハ対応に向けた開発が進みつつある。2010年以降, NAND型フラッシュ・メモリー,DRAMなど,300mmウェーハで製造するデバイスでも採用が始まる見通しで,デバイスを形成済みの300mmウェーハに貫通電極を形成する必要が出てくるためである。貫通電極を適用した3次元積層では,厚膜レジスト用の焦点深度の深い露光装置,Si深掘りエッチング装置,絶縁膜形成用のCVD装置,基板接合装置などを導入する必要がある。
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