三洋電機は，薄膜Si型太陽電池の開発を推進するために，「先進太陽光発電開発センター」を，2008年4月1日に設立した。異分野技術との融合で，革新的な薄膜Si型太陽電池の開発を目指す。センター長に就任した田中 誠氏に，技術開発の戦略を聞いた。（聞き手＝河合 基伸）
――薄膜Si型太陽電池で目標とする，変換効率やコスト，量産時期を教えてください。
競合他社は量産レベルの薄膜Si型太陽電池で，変換効率10～11％を狙っているようです。われわれは，その値を超える12％を狙います。その際のモジュール・コストは，現在の半分となる150円/Wになります。量産時期は2012年としていましたが，年単位で前倒しする方針です。
――薄膜Si型太陽電池の研究開発は，どのような方針で進めますか。
デバイス構造の工夫よりも，本質的な部分にメスを入れたいと考えています。つまり，材料技術主体で研究開発を進めていきます。薄膜Si型太陽電池で今後の主流になりつつあるタンデム構造は，アモルファスSiと微結晶Siを重ねて構成します。このうち，例えばこれまでの特性を超える微結晶Siを開発したいですね。
――太陽電池の研究開発拠点である「アドバンストエナジー研究所」（兵庫県神戸市）とは別に，「先進太陽光発電開発センター」（岐阜県安八郡）を設立した狙いを教えてください。
先進太陽光発電開発センターを設立した岐阜事業所には，薄膜Si型太陽電池の研究開発を有利に進める下地があります。一つは，薄膜技術を多用する三洋半導体の工場です。さらに，既に撤退しましたが，低温多結晶Si-TFTや有機ELといった技術の開発拠点もありました。それらを開発する技術者や過去の技術蓄積を，薄膜Si型太陽電池の開発に生かします。
詳細は，日経マイクロデバイス2008年6月号のKey Person「異分野とのシナジーで太陽電池に革新」に掲載予定です。また，2008年5月号には，田中氏の寄稿「太陽電池チュートリアル 第2回●結晶Si」を掲載しています。
