韓国Hynix Semiconductor社と米Grandis社，スピン注入方式MRAM技術のライセンス契約で合意
韓国Hynix Semiconductor Inc.と米Grandis Inc.は，Grandis社のスピン注入方式MRAM技術「STT-RAM（Spin-Transfer Torque MRAM）」に関する特許や知的財産を，Hynix Semiconductor社に長期的にライセンス供与することで合意したと発表した（発表資料）。Grandis社のSTT-RAM技術を，将来的にHynix Semiconductor社のメモリ製品に組み込むという。
両社は共同で技術チームを構成し，STT-RAM技術をメモリ製品に実装する開発を行う。STT-RAM技術は，低い書き込み電流や高い熱安定性のために最適化されたTMR素子の材料や構造，TMR素子とCMOSプロセスの集積化，STT-RAMセルとメモリ・アレイの設計などを含む。
Hynix Semiconductor社のHead of R&D DivisionであるSung Wook Park氏は，「Grandis社はSTT-RAM技術で業界をリードしており，この分野の基本特許について幅広いポートフォリオを持っている。今回のGrandis社との提携に基づき，当社の半導体製造プロセスに最先端のSTT-RAM技術を統合し，プロセス向けのメモリに新たな候補が生まれることを楽しみにしている」とコメントを寄せている。
Grandis社のpresident兼chief executive officerを務めるFarhad Tabrizi氏は，「STT-RAM技術は，SRAMとDRAM，フラッシュ・メモリの利点を併せ持った技術である。磁性材料における我々の最近の技術進化により，書き込み電流は大幅に低くなり，STT-RAM技術に新しい市場が開かれつつある。DRAMの大手であるHynix Semiconductor社との提携により，STT-RAM技術を用いたメモリ製品の開発と市場投入が加速されることを期待している」とコメントした。
