ここ数年，半導体の設備投資は，メモリに偏重している。例えば2007年を見ると，半導体全体の売上高に占めるMOSメモリ比率は20％強だが，投資額では約85％程度を占めた（図）。2007年は特にDRAMに偏ったが，2008年はDRAMメーカーの投資にブレーキがかかり，NANDフラッシュ・メモリの比率が増える見通しだ。NANDフラッシュ・メモリは韓国Samsung Electronics Co., Ltd.と東芝グループのシェアが高く，2008年の300mmウエハー対応ラインの能力増強をメーカー別に見ると，両社の構成比が合計で約43％に達する。2008年の投資は，メモリ偏重と一口に言っても，メモリ・メーカーやメモリの種類によって投資に大きな違いがあることが分かる。

Samsungは米国工場を増強

　DRAMとNANDフラッシュ・メモリの両方でトップのSamsung社は，2008年も例年通りの大規模な投資を継続する。ウエハー処理能力の増強はNANDフラッシュ・メモリを生産する米国工場に集中し，韓国内では設計ルールの微細化のための投資を行う。その結果，NANDフラッシュ・メモリのウエハー処理能力の増加分のほうがDRAMより多くなる見通しだ。

　東芝は四日市工場の能力増強を継続して行っている。米SanDisk Corp.と共同で建てた第4製造棟で2007年末から量産を開始し，2008年も投入量を順調に増やす計画だ。東芝グループも実は投資に慎重だが，他のメモリ・メーカーが投資にブレーキをかけてしまったために東芝グループが際立つ格好だ。

　投資に強気な上位2社に比べると，他のNANDフラッシュ・メモリ・メーカーは消極的だ。韓国Hynix Semiconductor Inc.は，2007年に大幅に増強した中国工場の能力をさらに引き上げるが，これはDRAM向け。NANDフラッシュ・メモリの方は，2008年前半に韓国内の新工場で大幅に増産する予定だったが，計画が半年ほど遅れている。微細化で上位2社に引き離されていることで，新工場投資に慎重になっている。

　米Micron Technology, Inc.と米Intel Corp.の合弁会社である米IM Flash Technologies, LLC.は，シンガポール工場を計画しているが，2008年末に生産を開始する予定で，2008年の出荷には寄与しない見込みだ（Tech-On!関連記事1）。むしろ，Micron Technology社は，ここ数年シェアを落としているDRAMでシェアを挽回するために，DRAM向けシンガポール工場の能力を引き上げる。

　NANDフラッシュ・メモリは，上位2社が投資に積極的な一方で，他のメーカーがあまり積極ではない。2008年は上位2社のシェア争いが激しくなり，さらに寡占化が進みそうだ。そして，上位2社でも，Samsung社は投資の半分はDRAMに奪われるため，東芝グループのシェアが拡大することになる。

DRAMは微細化投資に注力

　台湾メーカーは，DRAM価格の下落を受けて，投資に消極的だ。台湾Nanya Technology Corp.は，2007年後半に立ち上げた工場が能力を上げてきたところだったが，Micron Technology社と共同で設計開発すると方針転換したことで，装置選定から見直しが入ったようだ（Tech-On!関連記事2）。エルピーダメモリと台湾Powerchip Semiconductor Corp.の合弁会社Rexchip Electronics Corp.は，R1ファブの能力を予定通り上げてきているが，R2ファブの生産開始時期は検討中と慎重な姿勢を取っている（同3）。

　DRAM向けで，Micron Technology社のシンガポール工場，Hynix Semiconductor社の中国工場，Rexchip Electronics社のR1ファブの3つの工場は能力が上昇するものの，その他の多くの工場は微細化投資に注力することになる。