三菱化学は，大きさが短辺12mm×長辺20mm程度と，同社従来品よりも大型化したm面GaN基板を試作し，2007年9月16～21日まで米国ラスベガスで開催中の「ICNS-7」で発表した（講演番号：I1）。従来は短辺5mm×20mm程度であり，今回は主に短辺を長くした。m面とは非極性であり，今回の基板を利用すれば，GaN結晶の非極性面上にLEDや半導体レーザといった発光素子などを作製できる。実際，同社が以前開発したｍ面基板は，ロームと東北大学の研究グループ，あるいは米University of California, Santa Barbara（UCSB）教授の中村修二氏らの研究グループなどがGaNデバイスの作製に利用している。
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