3次元LSIのTSV向け300mm対応エッチャ，Lamが出荷へ
2007/08/21 14:24
写真は同社の既存のエッチング装置
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米Lam Research Corp.は，3次元LSI向けの300mmウエーハ対応エッチング装置「2300 Syndion」を2008年前半に出荷する。貫通配線ビア（TSV）加工における高アスペクトの穴開けに使う。同社は，MEMS分野で装置を製品化しており，ここでの経験をTSV加工に活用する（『NIKKEI MICRODEVICES』，2007年8月号，特集「LSIの壁をMEMSが打破」，Part1「MEMSをLSIに融合，Si貫通配線による3次元化で開始」に関連記事）。
同社は，300mm対応のTSV向けエッチング装置を業界で初めて出荷することになると期待している。300mm対応装置とMEMS向け装置の双方の分野における実績を生かしていち早く製品化することができるとする。既に同社は，複数の大手半導体メーカーとTSVに関して2年以上開発をしてきたという。TSV加工向け装置では，複数のMEMS装置メーカーなどが300mm対応を進めている（『NIKKEI MICRODEVICES』，2007年8月号，特集「LSIの壁をMEMSが打破」，Part2「多様な加工技術の競争が3次元LSIを低コスト化」に関連記事）。3次元LSIのデバイスは，イメージ・センサーやMEMSデバイスなどにおける200mmウエーハ主体の開発から，フラッシュ・メモリーやDRAMなどに向けた300mmウエーハも含めた開発へと進んできた。
今回のLamのエッチング装置は，直径2〜100μm，深さ20〜400μmといった高アスペクトの穴開け加工に対応している。300mmウエーハ加工時に，200mmウエーハの加工時と同様の面内均一性，再現性を維持できるとする。
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