韓国情報：Hynix，「ZRAM」のライセンス契約を締結
2007/08/16 16:17
韓国Hynix Semiconductor Inc.はメモリー技術開発メーカーである米Innovative Silicon Inc.と，「ZRAM」に関するライセンス契約を締結した。
今回の契約でHynixはInnovative SiliconからZRAMのライセンスを取得し，共同で製品開発を進めることになった。ZRAMは，SOI（Silicon on Insulator）構造を利用している。通常のDRAMの記憶素子がトランジスタとキャパシタから構成されているのに対してZRAMはキャパシタが無く，トランジスタだけで構成されている。そのため，チップ・サイズの縮小や大容量化，生産コストの大幅な削減が可能になる。
Hynixは2017年に世界1位の企業価値と技術力を持つ半導体メーカーになることを目標に，研究開発分野に注力している。そのため，今回の契約に続き，以後も半導体産業内おける提携および協力を持続的に拡大する計画である。
（この記事の詳細はhttp://www.devicetimes.com/を参照）
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