2002年6月に開催された「2002 Symposia on VLSI Technology and Circuits」に関連する記事を集めた記事リンク集です。
- 注目集める高速A/D，D/Aコンバータ
- しきい値低下による悪影響に回路で対策
- パワー制限下でのマイクロプロセサの高速化技術
- 多彩なメモリー技術に注目集まる
- DDR-IIで「世界最速」のデータ転送速度を実現
- 強誘電体メモリーの新しい応用例が続出
- 注目集まるMRAMなどの新方式メモリー
- 米Intelが怒涛の18件を発表
- 無線インタフェース持つLSIを生体に埋込む
- オンチップの高速・低電力データ伝送技術
- 動作時のリーク電流削減策，次の一手は何か？
- デバイスの物理的限界を回路技術でカバー
- 着実に進むフラッシュの研究・開発
- high-k（10），技術課題が確実に改善
- high-k（9），移動度劣化の原因は固定電荷が支配的
- high-k（8），ホット・ホールがトラップ形成の前駆体
- high-k（7），HfSiON膜使った微細トランジスタの特性
- high-k（6），極薄膜HfOxNyでFET特性を向上
- high-k（5），根源的課題を最小限に抑える
- high-k（4），微細MOS FETにhigh-kを導入
- high-k（3），HfO2の物性的知見が続出
- high-k（2），最終段階の熱処理で電気特性を大幅向上
- high-k（1），米IBMのhigh-k＋歪Si技術が登場
- SOI用いたトータル・プロセスを報告
- 「新構造デバイスは本当に必要？」
- 次世代の不揮発性メモリーに関する議論が白熱
- 混載や不揮発などメモリーの新技術が相次ぐ
- 見えてきた新構造CMOSの具体像
- 「SoC vs. SiP」，結果は「SiPの将来をポジティブに評価」
- ハイライト・セッションにシンポジウムの内容が凝縮
- 新設の歪みSiセッションに多くの聴講者
- 注目集めるSOI，日本の発表が1/2占める
- SOI技術を使ったDRAM混載プロセスを開発
- 東芝，SOI技術を使ったDRAM混載プロセスを開発
- 配線技術は比誘電率2.2の超low-kへ焦点がシフト
- MEMS技術の最新状況を東北大が紹介
- トランジスタ技術の将来像を米MITが示す
- 「世界最高速」のトランジスタ技術を日立が開発
- セキュアでリコンフィギャラブル，FeRAM-FPGAを富士通研が開発
- Motorola社が最大容量1MビットのMRAMを開発，2004年の量産に向けまい進
- 「Si Nanoelectronics Workshop」，微細トランジスタを議論
- 3～5Gの超高速と1V台の超低電圧へ
- ひずみSiとHfO2膜の組み合わせが登場
