米University of California,Santa Barbara校(UCSB) 教授の中村 修二氏の研究グループは,GaN結晶の半極性面(semipolar)を利用した青紫色半導体レーザに関する論文を発表した。同研究グループは,既にGaN結晶の非極性面を利用した青紫色半導体レーザを試作,論文発表している。今回の論文は「Japanese Journal of Applied Physics(Vol.46,No.19,2007)」にて掲載されている。
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