図1 今回試作した無極性の半導体レーザ
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図2 極性面と無極性面
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米University of California，Santa Barbara校（UCSB）教授の中村修二氏を中心とする研究グループは，GaN結晶の無極性面を利用した青紫色半導体レーザを開発したと発表した（発表資料）。同研究グループによれば，GaN結晶の無極性面を利用した青紫色レーザの開発は世界初だという。
既に同研究グループは，無極性面を利用した発光ダイオード（LED）を開発している（Tech-On!関連記事1）。「しきい値電流密度が低い無極性面の半導体レーザを開発した。現在，HD DVD装置やBlu-ray Disc装置などで利用されているc面（極性面）を利用した青紫色半導体レーザよりも，低消費電力で長寿命になる」（中村氏）と説明する。今回試作した無極性面青紫半導体レーザは，パルス発振で，しきい値電流密度は7.5kA/cm2，発振波長は405nmである(図1)。
GaN系の青色LEDや青紫色レーザの市販品は，GaN結晶のc面と呼ばれる極性面を利用している。無極性面とは，極性面に対して法線方向の面である（図2）。極性面を利用する場合に比べて，発光効率が高まるなどの利点がある。無極性面を利用すれば，発光効率の低下の一因となるピエゾ電界を弱められるためだ。
m面やa面といった無極性面を利用したLEDに関する研究は，中村氏を中心とした研究グループのほか，京都大学と日亜化学工業の研究グループ，ロームなどがLED素子を作成するなど活発化している（Tech-On!関連記事2，Tech-On!関連記事3）。
なお，今回の開発成果について研究グループは，2007年2月上旬にUCSBにおいて発光などの実演をする予定である。
