【セミコン・ジャパン】東京応化と東レ・ダウコーニング，ハードマスクを不要にできるSi含有レジストを共同開発

2006/12/07 22:58

木村雅秀＝日経マイクロデバイス

競争力を強化する加工技術

2光束干渉露光装置で解像した45nm線幅/線間隔パターン

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ハードマスクを不要に

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　東京応化工業と東レ・ダウコーニングは，エッチング耐性を高めた65nm世代対応のBi-Layerレジストを開発し，販売を開始する。マルチレイヤー・プロセスでこれまで必要だったハードマスクを不要にでき，プロセスの簡略化が可能になるという。

　一般に高い解像度と広いプロセス・ウィンドウを両立させるためにはレジストの薄膜化が必要であり，エッチング耐性の向上が求められる。従来の有機系レジストではエッチング耐性が十分ではなく，ハードマスクを組み合わせる必要があった。今回はSi含有ポリマーを採用することでエッチング耐性を高めた。これまでのSi含有レジストはSiに起因するアウトガスの問題があったが，今回はアウトガスを現在の検査装置では検出不能なレベルまで低減させ，装置汚染の問題を解決したという。なお，今回のレジストはドライ露光だけではなく，45nm世代向けの液浸露光にも使えるという（リリース）。