米Spansion Inc.は，SIMカード向けフラッシュ・メモリ・ソリューション「HD-SIM」による製品を，2006年12月より量産する（発表資料，日本語，関連記事）。独自のフラッシュ・メモリ多値/高密度化技術「MirrorBit」（関連記事）に基づいた独自構造「ORNAND」型（関連記事）を活用するもの。

　搭載するフラッシュ・メモリは，90nmプロセスを適用する。まずは64Mバイト品と128Mバイト品をラインナップし，将来的に256Mバイト品まで拡充する予定。量産規模は未定。イスラエルmsystems Ltd.の大容量対応SIMコントローラと，フラッシュ・メモリ用ファイル・システム技術「TrueFFS」を採用している（関連記事）。インタフェースには，従来のSIMで使われてきたもののほか，より高速な伝送が可能なMMCとUSBの2方式を追加した。当初，Spansionのフラッシュ・メモリとmsystemsの論理回路の2チップ構成で生産を始めるが，2007年第2四半期に，これらを集積した1チップ品の生産を開始する計画。
　GSM，W-CDMAなどによる第3世代携帯電話のサービスが高度化するなか，SIMカードには，認証だけでなく，コンテンツ・サービスにも対応することが求められてきている。HD-SIMは，これに応える大容量と読み書き速度を実現するとしている。コンテンツ格納にも適した大容量で，セキュリティ機能用の論理回路を混載し，なおかつ2チップ以下のシンプルな構成を実現するフラッシュ・メモリ搭載SIMカード・ソリューションは，業界初という。

　これにともない，12月までに大手スマート・カード・メーカーと共同で，パイロット・プロジェクトを始動するという。パートナーについては12月に公表予定。なお，msystemsは，昨年，SIMカードを含むスマート・カードの開発企業Microelectronica Espanolaを買収しており（発表資料，日本語），Gバイト・クラスの大容量フラッシュ・メモリ搭載SIMカードを共同開発している（発表資料，日本語）。自らは米SanDisk Corp.に買収される予定で（発表資料，日本語），手続きを進めている（発表資料）。HD-SIM製品の国内販売は富士通が行う。