韓国Samsung Advanced Institute of Technologyは,カーボン・ナノチューブを採用した6型のバックライト・ユニットを開発した。今回の開発品は,高いアノード電圧で動作中のアーク放電を最小限に抑えるために,単純なアンダー・スキャン型のカソード構造を設計している。このバックライトを取り付けたパネルは,アノード電流密度が約10 uA/cm2という条件で,アノード電圧が15 KV以上でも安定的に動作するという。
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