京都大学 助教授の川上養一氏と日亜化学工業らの研究グループは,基板の半極性面上に結晶を成長させて作製した従来の緑色発光ダイオード(LED)に比べて,外部量子効率を約100倍まで高めた同タイプの緑色LEDを開発した。基板にはGaNのバルク基板,活性層にはInGaNを利用する。駆動電流が20mA時の出力は1.9mW,外部量子効率は4.1%,発光波長は約530nm,駆動電流が200mA時の出力は13.4mW,同2.8%,同約520nmである。ただし,一般的なサファイア基板やSiC基板の極性面(結晶面が(0001))上に作製したInGaN系の緑色LEDに比べて出力は弱い。
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