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Samsung,70nm世代の1GビットOneNANDを量産,読み出し速度は108Mバイト/秒

  • 大石 基之=日経エレクトロニクス
  • 2006/04/05 00:09
  • 1/1ページ
韓国Samsung Electronics Co.,Ltd.は,70nm世代の半導体技術で製造する1Gビットの「OneNAND」型フラッシュ・メモリの量産を開始したことを発表した。

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