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HOMEエレクトロニクス電子デバイス > 「集積度はDRAMの2倍」,キャパシタを使わない新型メモリが離陸

「集積度はDRAMの2倍」,キャパシタを使わない新型メモリが離陸

  • 新井 将之=日経エレクトロニクス
  • 2005/01/24 20:54
  • 1/1ページ
 米Innovative Silicon Inc.は2005年1月24日,既存の混載DRAMに比べて2倍に高密度化できる論理LSI混載用揮発性メモリ「Z-RAM」に関する説明会を都内で開催した。Z-RAMの「Z」は「Zero capacitor」の意味で,キャパシタを利用しないでデータを保持することが特徴。SOI基板上に形成したトランジスタ1個でメモリ・セルを構成する。
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