• BPnet
  • ビジネス
  • IT
  • テクノロジー
  • 医療
  • 建設・不動産
  • TRENDY
  • WOMAN
  • ショッピング
  • 転職
  • ナショジオ
  • 日経電子版

HOMEエレクトロニクス電子デバイス > 「集積度はDRAMの2倍」,キャパシタを使わない新型メモリが離陸

「集積度はDRAMの2倍」,キャパシタを使わない新型メモリが離陸

  • 新井 将之=日経エレクトロニクス
  • 2005/01/24 20:54
  • 1/1ページ
 米Innovative Silicon Inc.は2005年1月24日,既存の混載DRAMに比べて2倍に高密度化できる論理LSI混載用揮発性メモリ「Z-RAM」に関する説明会を都内で開催した。Z-RAMの「Z」は「Zero capacitor」の意味で,キャパシタを利用しないでデータを保持することが特徴。SOI基板上に形成したトランジスタ1個でメモリ・セルを構成する。
【技術者塾】(7/15開催)
ディスプレーに革新をもたらす「量子ドット」の最新動向


ディスプレーへの応用で注目を集める量子ドット(QD)。QDビジネスに関わる各社の技術の内容や事業戦略、そして、ディスプレーが目指す新たな色の世界と産業の方向について、最新の情報を詳細に解説します。詳細は、こちら
日程 : 2016年7月15日
会場 : Learning Square新橋 6F(東京・新橋)
主催 : 日経エレクトロニクス

おすすめ ↓スクロールすると、関連記事が読めます↓