米IntelのEUV露光技術研究が開発段階に
Intel社の発表によると，今回，（1）オレゴン州の開発施設「RP1」に英Exitech社のEUVリソグラフ・ツール「MET（Micro Exposure Tool）」（写真1）を設置するとともに，（2）カリフォルニア州の開発施設にEUVマスク製造パイロット・ラインを敷設した。
従来同社は，プロトタイプEUVリソグラフ・ツールとして「ETS（Enginnering Test Stand）」を開発していた。ETSの開口数（NA：numerical aperture）は0.087であり解像度は70nmが限界であった。METは開口数0.3を実現し解像度30nmに対応した。ただし，ミラーは2枚システムであり，露光領域は600μm×600μmに，また光源レーザーの出力は1W以下にとどまる。Intelは，今後METを使って32nm世代に対応したフォト・レジストを開発したり，マスク欠陥の影響を調査し，32nm世代の量産ライン設置に向けた開発を続ける。
なお，32nm世代の量産には，開口数0.25，ミラー6枚システム，百W級の光源を備えた露光装置が必要である。Intelは，EUV露光装置用光源については米Cymer社と，集光器に関してはイタリアMedia Lario International社と共同研究をしている。
マスク製造パイロット・ラインについては，自社開発のマスク欠陥装置や，独NaWoTec社と共同開発した電子ビーム・パターン修正装置などを設置している。Intel社は，EUV量産時には自社のマスクショップでほとんどのEUVマスクを作製する計画。（神保 進一）
【写真】米Intel社が設置したEUV露光装置「MET（Micro Exposure Tool）」。出典：米Intel
