松下電器が商品化間近のナノテクを展示，CEATECで
2002/10/04 00:00
出典：日経ナノテクノロジー，
（記事は執筆時の情報に基づいており，現在では異なる場合があります）
松下電器産業は，近い将来の商品化を意識したナノテクノロジー関連の試作品（写真1〜3）を，千葉市の幕張メッセで開催中の展示会「CEATEC JAPAN 2002」（会期は2002年10月1〜5日）に出展した。併せて，次世代のナノデバイス製作のカギを握る技術の一つとして注目されている「バイオナノプロセス」（2001年10月27日付の記事参照）を説明するCG（コンピューターグラフィックス）アニメーションなどのビデオ展示も行った。
同社が展示した試作品は，フレキシブル多層シートデバイス（写真1，2002年5月21日付の記事参照）をはじめ，薄膜の結晶構造をナノスケールで制御する技術が，実現のポイントとなる。シートデバイスのほか，次世代ビデオレコーダー用の高密度・大容量光ディスク技術（写真2左），SiC（炭化ケイ素）半導体を用いたパワーデバイス（同右），CIS（CuInSe2，銅とインジウムとセレンの化合物）薄膜を用いて変換効率18％以上を達成した太陽電池の試作品を展示した。
例えばシートデバイスの場合，2002年10月に単層型のサンプル出荷を開始し，2003年度内に多層型を商品化することを，同社は計画している。（日経ナノテクノロジー 桜井敬三）
【写真1】フレキシブル多層シートデバイス
【写真2】次世代ビデオレコーダー用の高密度・大容量光ディスク（左）と，SiC半導体を用いたパワーデバイス（右）
【写真3】CIS薄膜を用いて変換効率18％以上を達成した太陽電池。ちなみに，一般的なシリコン系の太陽電池の変換効率は高くて12％程度。また，シリコン系に比べて，膜厚は1/100程度の1μmと薄いので，曲面状にもしやすく，材料コストも安く抑えられる
