2015年3月、NANDフラッシュメモリーに大きな転機がやってきた。3次元NANDフラッシュメモリー（3次元NAND）製品において、三つどもえの競争が始まったのである。3次元NANDは、1枚のSiチップ内にメモリーセルを積層したメモリーである。

　最初に製品化したのは韓国Samsung Electronics社で、2013年8月に24層の「Vertical NAND（V-NAND）」のチップを出荷した。現在はV-NANDとして第2世代の技術で一般消費者向けのSSD（solid-state drive）製品を発売済みだ（図1）。

　2015年3月になって、東芝、そして米Intel社と米Micron Technology 社が相次いで3次元NANDのサンプル出荷を始めた注1）。本格的な量産時期は、Intel社らは2015年内、東芝は2016年上期を目指すとする。

図1　3次元NANDフラッシュメモリーが出揃う
Samsung Electronics社（a）、東芝（b）、Intel社とMicron社連合（c）の3次元NANDフラッシュメモリー製品や開発品を示した。本格的な量産は、東芝は2016年内に出荷する計画である。（写真：各社）
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