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2014年7月7日号

東芝が低電力STT-MRAM、MPUキャッシュへ道開く

「VLSIシンポジウム」に新原理の不揮発性メモリーが相次ぐ

大下 淳一=日経BP半導体リサーチ
2014/07/15 00:00
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出典:日経エレクトロニクス、2014年7月7日号 、pp.16-17 (記事は執筆時の情報に基づいており、現在では異なる場合があります)
 
東芝のSTT-MRAM(写真:東芝)
[画像のクリックで拡大表示]

 東芝は、マイクロプロセッサーに混載するキャッシュメモリーとして、業界最高の性能を実現するというSTT-MRAM(スピン注入磁化反転型MRAM)を開発した(図1)。キャッシュ用SRAMに比べて消費電力が60%減る。詳細を「2014 Symposia on VLSI Technology and Circuits」(2014年6月9~13日)で発表した。

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