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2014年3月3日号

大容量ReRAMの実用化に王手
Micron社とソニーが共同開発

NANDフラッシュは2次元と3次元が対決

木村 雅秀=日本経済新聞社
2014/03/07 00:00
出典:日経エレクトロニクス、2014年3月3日号 、pp.10-11 (記事は執筆時の情報に基づいており、現在では異なる場合があります)
16GビットReRAM(写真:Micron社、ソニー)

 新型の不揮発性メモリーとして世界中で開発競争が続く大容量ReRAM(抵抗変化型メモリー)。その実用化に、米Micron Technology社とソニーの共同研究グループが王手をかけた。他社に先駆けて高速かつ大容量のReRAMを開発し、半導体集積回路技術の国際学会「International Solid-State Circuits Conference(ISSCC)2014」で発表したのだ。ソニーはメモリーユーザーの立場で今回の技術を、DRAMとNANDフラッシュメモリーの性能差を埋めるストレージ・クラス・メモリー(SCM)に利用したい考えである(図1)。

図1 DRAMとNANDフラッシュの性能ギャップを埋める
Micron社とソニーが共同開発した16GビットReRAMは、DRAMとNANDフラッシュの性能ギャップを埋めるストレージ・クラス・メモリー(SCM)への応用を目指している。(図:Micron社とソニーの資料を基に本誌が作成)
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