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HOMEエレクトロニクス電子デバイス半導体プロセスの基礎 > 第1回 半導体デバイスのできるまで

半導体プロセスの基礎

第1回 半導体デバイスのできるまで

  • 尾田秀一=ルネサス エレクトロニクス
  • 2013/06/06 00:00
  • 1/16ページ

半導体デバイスのできるまで(1)

半導体デバイスのできるまで(1)

 ウエーハプロセスの各論に入る前に、デバイスの設計から量産・出荷に至る道筋を簡単にお話しした上で、本書の本題であるウエーハプロセス技術を位置づけたいと思います。

 次に「何のためのウエーハプロセスか?」を考えるために、デバイスがウエーハの上に作られていくおおまかな流れを説明いたします。

 さらにその流れの中の一部を切り出し、形ができあがっていく様子を工程ごとに追いかけながら、ウエーハプロセス技術を装置や材料の観点から分類してみたいと思います。

 最後に、半導体デバイスの代表例として、MOSメモリの構造と動作原理について説明いたします。

出典:「半導体プロセス教本」第1章、第2章 (発行 SEMIジャパン、編集 SEMI FORUM JAPANプログラム委員会、監修 出水清史、2012年9月第五版より) 

ルネサス エレクトロニクス株式会社
尾田秀一
生産本部 デバイス・解析技術統括部 先端デバイス開発第一部
デバイス基盤技術課 主管技師 兼 課長
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