90nm以降,新材料や新プロセスを導入することで,微細化だけに頼らずMOS FETの性能を高める動きが活発化してきた。その代表例が,ひずみSiやポーラス低誘電率(low-k)膜,高誘電率(high-k)ゲート絶縁膜/メタル・ゲートである。これらの新材料や新プロセスの採用に伴って,それに対応する計測技術が求められるようになった。その強力な手段が,連載の最終回となる本稿で紹介するX線計測技術である。同技術は,従来の光学式測定に代わって,新材料向けの標準的な計測技術になりつつある。
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