LSIの性能向上に向けて，検査・解析技術の重要性が高まっている。ひずみSiや低誘電率（low-k）膜，高誘電率（high-k）膜，メタル・ゲートといった新たな材料や構造が本格的に導入されるためである。さらに，プロセスの要であるリソグラフィ技術も液浸露光へと変化する。65～45nmで新たに必要となる検査・解析技術とはどのようなものか。連載で明らかにする。
連載
検査・解析技術総覧
出典：2007年5月号～11月号 日経マイクロデバイス
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