連載の第7回と第8回では,MOS FETの性能を左右するゲート・プロセスを取り上げる。MOS FETはSiO2ゲート絶縁膜の薄膜化によって高性能化を達成してきた。その薄膜化が,ここへ来て限界に達しつつある。SiO2膜の厚さが2nm前後に達し,リーク電流が無視できなくなったためである。今後はリーク電流を抑制できる高誘電率(high-k)ゲート絶縁膜が欠かせなくなる。さらに薄膜化を加速するためには金属のメタル・ゲートが必要になる。数十年にわたってMOS FETの根幹を支えてきたSiO2系のゲート絶縁膜を新材料に置き換えることは大きな挑戦となる。

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