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HOME電子デバイスプロセス製造技術総覧 > 【第7回●ゲート・プロセス:原理&動向編】SiO2からhigh-k/メタルへ、材料革新で薄膜化の限界を突破

プロセス製造技術総覧

【第7回●ゲート・プロセス:原理&動向編】SiO2からhigh-k/メタルへ、材料革新で薄膜化の限界を突破

  • 鄭 基市(東京エレクトロンAT ESD開発技術部門)
  • 2013/03/27 00:00
  • 1/4ページ

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