デバイスの高集積化を支えるプロセス技術は，全体をモジュール・プロセスに分割し，検討できるようになった（図9）。これは，1990年代後半にCMPが導入され，ウエーハをほぼ理想的な平坦状に加工できるようになったためである。各モジュールを組み合わせることによって，さまざまなデバイスを実現できる。モジュールごとの個別の説明は次回以降に譲り，ここでは自己整合技術について紹介する。

図9●プロセスのモジュール化が進展
1990年代後半にCMPが導入され，ウエーハをほぼ理想的な平坦状に加工できるようになったことで，プロセス技術のモジュール化が進んだ。各モジュールを組み合わせることによって，さまざまなデバイスを実現できる。著者のデータ。
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下地の特性を利用して微細加工

　微細加工は，リソグラフィの解像能力に加えて，下地や被加工層の材料の違い，物理的な構造を利用してパターンを形成する総合技術である。後者を利用するものが自己整合技術である。ここで，自己整合技術とは「着目しているLSI上の下層パターンに対し，物理的構造あるいは化学的反応の差異を利用して，マスク合わせなしにその下層パターンに位置的に整合した上層パターンを選択的に形成する技術」と定義する。

　自己整合として認識されているプロセスは，自己整合コンタクト，サリサイド，ボーダーレス配線，デュアル・ダマシンなどがその代表的な例として挙げられる。以前はLOCOS（local oxidation of silicon）21），Siゲートなども代表的な自己整合技術として認められていた。側壁スペーサ形成，選択成長なども自己整合技術の範ちゅうに入る。主要な自己整合技術のnチャネルMOSトランジスタへの適用例を図10，図11に示す。

図10●自己整合プロセスの事例
（a）Si3N4膜，素子分離酸化膜，チャネル・ストッパのB打ち込みが自己整合する。（b）ゲートとドレインが自己整合する。（c）ゲートとスペーサが自己整合する。その後，全面にTiやCoなどの金属を蒸着し，熱処理すればSiとシリサイドが自己整合する。これをサリサイド（self―aligned silicide）と呼ぶ。（d）ゲートとコンタクト孔が自己整合する。これを，自己整合コンタクト（self―aligned contact：SAC）と呼ぶ。Wプラグ，ゲート，ソース・ドレインも自己整合する。（e，f）デュアル・ダマシン法により，Wプラグと接続電極，配線電極が自己整合する。著者のデータ。
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図11●ドッグボーン配線からボーダーレス配線へ
これまで配線の第1層と第2層を接続する場合，マスクの位置合わせがズレると，ビアが過剰にエッチングされる問題があった。このため，従来は（a）の「ドッグボーン配線」が使われた。一方，例えばビアにWを使うと位置がズレてもエッチングされないので，（b）のような「ボーダーレス配線」が使える。ボーダーレス配線の方が高密度化できる。著者のデータ。
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