連載の第1回は，日経エレクトロニクスに掲載された「ISSCC（IEEE International Solid-State Circuits Conference）」のプレビュー記事から2005～2008年のアナログ分野のトピックスを取り上げ，技術トレンドを見る。ISSCCにおけるアナログ分野のセッションは，当該分野における投稿論文や講演数の増加に伴い，セッション数が増加していった。具体的には2005年までは1セッションだけだったが，2006年には「アナログ/RF」セッションと「データ・コンバータ」の2セッションに分かれた。2007年にはさらに「アナログ」と「RF」が分かれて，2008年までは合計3セッションとなっていた。（Tech-On！）
ISSCC 2005に見るアナログ
いつも脇役のD-A変換器が今回の主役
ナイキストD-AとΣΔに注目
今回のアナログ分野は，なんといってもD-A変換器が面白い。D-A変換器は常にA-D変換器の脇役であり，学会でもA-D変換器より注目度が低かった。しかし今回はその状況が一変する。特にナイキストD-A変換器に注目論文が多いのが特徴だ。このほか，ΣΔ方式は前回に引き続き開発が活発で，今回は広帯域化の記録を塗り替えた。前回大豊作だったナイキストA-D変換器はやや小休止という状況の中で，消費電力が可変のA-D変換器がキラリと光っている。アナログの低電圧設計では，ついに＋0.5Vへの挑戦が始まった。
①ナイキストD-A変換器の高速化：従来比で2倍強となる22Gサンプル/秒の6ビット超高速D-A変換器をカナダNortel Networks Ltd.が発表する［6.7］。このほか，1.2Gサンプル/秒の15ビット品を米Agilent Technologies，Inc.が［6.1］，1.6Gサンプル/秒の12ビット品を米Rockwell Scientific Co.が発表する［6.2］。前者はSiGeのバイポーラCMOS，後者はGaAsのHBT（heterojunction bipolar transistor）とプロセス技術はそれぞれ異なるが，超高速動作時の特性を改善するためにRTZ（return to zero）を使う点が共通している。
②ΣΔ方式の広帯域化：前回，信号帯域が10MHzに到達したΣΔ方式は，今回一層の広帯域化を果たした。29MHz帯域のD-A変換器をドイツ Infineon Technologies AGが［6.5］，23MHz帯域のΣΔ方式複素A-D変換器をカナダUniversity of Torontoが発表する［27.6］。Infineon社は，2組の回路とRTZを巧みに組み合わせ，高速性と低電力化を両立させた。信号帯域が 30MHz以下の中速領域ではΣΔ方式がナイキストA-D/D-A変換器の足元を脅かし始めた。
③消費電力が可変のA-D変換器：「速度と電力にはトレードオフの関係があり，その用途ごとに最適に設計する」という常識が変わる可能性がある。 Toronto大学の10ビット級パイプラインA-D変換器は，50Mサンプル/秒（35mW）～1Kサンプル/秒（15μW）のサンプリング速度に応じて消費電力が変化する［15.3］。
④＋0.5Vへの挑戦：米Oregon State Universityは動作電圧が＋0.6Vのオーディオ用ΣΔ方式A-D変換器を［9.1］，米Columbia Universityは＋0.5Vで動作するアナログ・フィルタ回路を発表する［27.8］。90nmを使うアナログ設計では＋1.2Vや＋1.3Vが，もはや当たり前の電圧になってきた［9.2，9.3，15.2，27.3］。
（片倉 雅幸＝ソニー セミコンダクタソリューションズネットワークカンパニー ミックスシグナルデバイス事業本部）
(出典：日経エレクトロニクス，2005年1月3日号，p.59)
