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HOMEエレクトロニクス電子デバイス製造現場が分かる半導体入門 > 素子分離プロセス

製造現場が分かる半導体入門

素子分離プロセス

  • 吉村 克信=科学技術交流財団 東海広域知的クラスター創成事業本部 科学技術コーディネータ
  • 2009/04/06 00:00
  • 1/1ページ
素子分離プロセスとは,「各素子間の不要な相互作用を防ぐプロセス」です。ここではSi基板の上に素子分離帯を作る流れについて説明します。素子分離のプロセスは,主にLOCOS法(local oxidation of silicon:Siを部分的に酸化する方法)とSTI法(shallow trench isolation:浅い溝を使った分離方法)があります。
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