半導体の低コスト化を長く支えてきた微細化技術に危機が迫っている。メモリや論理LSIを微細化しても、リソグラフィ・コストの上昇やデバイスの物理的な限界によって、コストが下がらなくなってきたのだ。この状況を打開すべく、半導体業界が動き始めた。450mmウエハーへの大口径化とEUV露光の実用化への取り組みだ。半導体のコストダウンを維持できるかどうかは、この“2大プロジェクト”の成否に懸かる。

あらゆる手段でコストを低減

 「NANDフラッシュ・メモリはこれまで、微細化さえしていればコストを下げられたが、それが行き詰まってきた。非常に厳しい状況だ」。

 2012年10月に催された「CEATEC JAPAN 2012」。その基調講演に登壇した東芝の齋藤昇三氏(代表執行役副社長 電子デバイス事業グループCEO)は、NANDフラッシュ・メモリの大手メーカーである同社が直面している危機を率直に認めた。

 NANDフラッシュ・メモリはスマートフォンやタブレット端末のストレージを一手に担い、ノート・パソコンやサーバーでもHDDを置き換えつつある。メモリ・メーカーが微細化を競い、速いペースでコスト低減を進めてきたことが躍進の背景だ。

 そのNANDフラッシュ・メモリが今、微細化を阻む厚い壁にぶち当たっている。チップ面積を小さくすることで得られるコスト・メリットを、リソグラフィなどの製造コストの増分が相殺するようになってきたのだ。

 DRAMや論理LSIでも状況は変わらない。製造コストが上昇し、微細化のメリットは急速に薄れつつある。

『日経エレクトロニクス』2012年11月26日号より一部掲載

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