不揮発性RAMをキャッシュに用いたSSDの書き込み動作
SSDのキャッシュ・メモリとしてReRAM（抵抗変化型メモリ）のような不揮発性RAMを利用することで，データ書き込み時の消費電力を大幅に低減する。こうした手法を東京大学 大学院工学系研究科 電気系工学専攻 准教授の竹内健氏のグループが開発した。この成果を2010年9月22～24日に東京で開催された半導体デバイス/材料の国際会議「SSDM（Solid State Devices and Materials）2010」で発表した。SSDのデータ書き込み時の消費電力を従来比で97％低減でき，動作信頼性の指標となる許容ビット不良率を3.6倍に高められるという。
新メモリの効果を定量的に評価
今回の発表は，NEDO（新エネルギー・産業技術総合開発機構）がエルピーダメモリと東京大学に委託した「高速不揮発メモリ機能技術開発」プロジェクト（2010～2012年度）の最初の成果である。同プロジェクトでは，エルピーダメモリが東京大学，シャープ，産業技術総合研究所と共同でGビット級のReRAMを開発する。
これと並行して，東京大学が中心となり，ReRAMを利用したSSDのアーキテクチャを提案し，その効果をシミュレーションなどで検証する計画である。今後，論理LSIやメモリの動作をSystemCなどの言語で記述し，想定するアーキテクチャの性能を定量的に評価する。
『日経エレクトロニクス』2010年10月18日号より一部掲載
